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RGW00TS65HR 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW00TS65HRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥39.7873 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 RGW00TS65HRC11 Mouser 零件编号 755-RGW00TS65HRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥39.7873 ¥36.9736	最低： 450 倍数： 450	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	96 A	254 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW00TS65EHRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥42.1829 无库存交货期 22 周	制造商零件编号 RGW00TS65EHRC11 Mouser 零件编号 755-RGW00TS65EHRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	无库存交货期 22 周	¥42.1829	最低： 450 倍数： 450	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	96 A	254 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW00TS65GC13 ROHM Semiconductor 1: ¥52.3642 600库存量寿命结束	制造商零件编号 RGW00TS65GC13 Mouser 零件编号 755-RGW00TS65GC13 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 50A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT	数据表	600库存量	¥52.3642 ¥35.1543 ¥25.6397 ¥24.069	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247GE-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	96 A	254 W	- 40 C	+ 175 C	Tube

RGW00TS65HR 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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