RGW40TK65DGVC11

ROHM Semiconductor
755-RGW40TK65DGVC11
RGW40TK65DGVC11

制造商：

说明：
绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO3P 650V 16A TRNCH

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ROHM Semiconductor
产品种类: 绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:  
Si
TO-3PFM-3
Through Hole
Single
650 V
1.9 V
30 V
27 A
61 W
- 40 C
+ 175 C
Tube
商标: ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流: 200 nA
产品类型: IGBTs
工厂包装数量: 450
子类别: Transistors
零件号别名: RGW40TK65D
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数据表

Specification Sheets

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
泰国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGW 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

供货情况

库存：
无库存
生产周期：
22 周 预计工厂生产时间。
最少： 450   倍数： 450
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
此产品免运费

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
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