RGW50TK65DGVC11

Name: ROHM Semiconductor RGW50TK65DGVC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW50TK65DGVC11
Price: 26.64 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RGW50TK65DGVC11

制造商编号：

RGW50TK65DGVC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 18A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT

数据表:

RGW50TK65DGVC11 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-3PFM-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.9 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	30 A
Pd-功率耗散:	67 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGW50TK65D

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数据表

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合规代码

USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.