.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RGW50TS65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 25A Field Stop Trench IGBT RGW50TS65DGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥55.8333 444库存量 NRND	制造商零件编号 RGW50TS65DGC11 Mouser 零件编号 755-RGW50TS65DGC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 25A Field Stop Trench IGBT	数据表	444库存量	¥55.8333 ¥31.8434 ¥26.555 查看 ¥24.2385	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	- 30 V, 30 V	50 A	156 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT RGW50TS65DGC13 ROHM Semiconductor 1: ¥48.7143 600库存量寿命结束	制造商零件编号 RGW50TS65DGC13 Mouser 零件编号 755-RGW50TS65DGC13 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switch 650V 25A FRD Built-in TO-247N Field Stop Trench IGBT	数据表	600库存量	¥48.7143 ¥32.6683 ¥23.3232 ¥22.2497 ¥21.8316	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247GE-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	50 A	156 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW50TS65GC13 ROHM Semiconductor 1: ¥42.2733 600库存量寿命结束	制造商零件编号 RGW50TS65GC13 Mouser 零件编号 755-RGW50TS65GC13 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 25A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT	数据表	600库存量	¥42.2733 ¥28.1257 ¥19.6055 ¥19.1874 查看 ¥18.4416 ¥18.1139 ¥18.0348	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-247GE-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	50 A	156 W	- 40 C	+ 175 C	Tube

RGW50TS65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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