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RoHS

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RGW60TS65DHR 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW60TS65DHRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥32.092 无库存交货期 22 周	制造商零件编号 RGW60TS65DHRC11 Mouser 零件编号 755-RGW60TS65DHRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 30A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	无库存交货期 22 周	¥32.092	最低： 450 倍数： 450			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	64 A	178 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT RGW60TS65GC11 ROHM Semiconductor 1: ¥51.867 542库存量 NRND	制造商零件编号 RGW60TS65GC11 Mouser 零件编号 755-RGW60TS65GC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	数据表	542库存量	¥51.867 ¥29.4478 ¥24.4871 ¥24.3967 查看 ¥21.922	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	60 A	178 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT RGW60TS65DGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥58.0707 408库存量 NRND	制造商零件编号 RGW60TS65DGC11 Mouser 零件编号 755-RGW60TS65DGC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 30A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	数据表	408库存量	¥58.0707 ¥33.2559 ¥27.798 查看 ¥27.7076 ¥25.5606	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	60 A	178 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW80TS65DHRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥34.8266 无库存交货期 22 周	制造商零件编号 RGW80TS65DHRC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TS65DHRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	无库存交货期 22 周	¥34.8266	最低： 450 倍数： 450			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	80 A	214 W	- 40 C	+ 175 C	Tube