.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

RGW80TK65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT RGW80TK65GVC11 ROHM Semiconductor 1: ¥58.5679 449库存量	制造商零件编号 RGW80TK65GVC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TK65GVC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	449库存量	¥58.5679 ¥35.0752 ¥29.3687 ¥29.2783 ¥27.3008	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-3PFM-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	39 A	81 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT RGW80TK65EGVC11 ROHM Semiconductor 1: ¥73.9472 840库存量	制造商零件编号 RGW80TK65EGVC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TK65EGVC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-3PFM, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	840库存量	¥73.9472 ¥43.1773 ¥36.3973 ¥35.3238 ¥35.1543	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-3PFM-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	39 A	81 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT RGW80TK65DGVC11 ROHM Semiconductor 1: ¥66.0937 358库存量	制造商零件编号 RGW80TK65DGVC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TK65DGVC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-3PFM Field Stp Trnch IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	358库存量	¥66.0937 ¥39.0415 ¥33.2559 ¥33.0864 ¥31.188	最低： 1 倍数： 1	Si	TO-3PFM-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	39 A	81 W	- 40 C	+ 175 C	Tube

RGW80TK65 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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