RGW80TS65DHRC11

Name: ROHM Semiconductor RGW80TS65DHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGW80TS65DHRC11
Price: 30.82 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-RGW80TS65DHRC11

制造商编号：

RGW80TS65DHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT

数据表:

RGW80TS65DHRC11 数据表 (PDF)

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247N-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	1.9 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	80 A
Pd-功率耗散:	214 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGW80TS65DHR

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