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RoHS

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RGW80TS65HR 绝缘栅双极晶体管(IGBT)

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	封装 / 箱体	安装风格	配置	集电极—发射极最大电压 VCEO	集电极—射极饱和电压	栅极/发射极最大电压	在25 C的连续集电极电流	Pd-功率耗散	最小工作温度	最大工作温度	封装
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW80TS65HRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥29.4478 无库存交货期 24 周	制造商零件编号 RGW80TS65HRC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TS65HRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	无库存交货期 24 周	¥29.4478	最低： 450 倍数： 450			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	80 A	214 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT RGW80TS65EHRC11 ROHM Semiconductor 1: ¥76.3428 450库存量	制造商零件编号 RGW80TS65EHRC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TS65EHRC11	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) Transistor, IGBT, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247N, Field Stop Trench IGBT 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm rgw igbts 的信息	数据表	450库存量	¥76.3428 ¥50.2963 ¥40.5331 ¥39.4596	最低： 1 倍数： 1			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	80 A	214 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT RGW80TS65GC11 ROHM Semiconductor 无库存交货期 24 周 NRND	制造商零件编号 RGW80TS65GC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TS65GC11 NRND	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) 650V 40A TO-247N Field Stp Trnch IGBT	数据表	无库存交货期 24 周		请求报价			Si	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.5 V	- 30 V, 30 V	78 A	214 W	- 40 C	+ 175 C	Tube
	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD RGW80TS65CHRC11 ROHM Semiconductor 1: ¥127.0572 443库存量寿命结束	制造商零件编号 RGW80TS65CHRC11 Mouser 零件编号 755-RGW80TS65CHRC11 寿命结束	ROHM Semiconductor	绝缘栅双极晶体管(IGBT) High-Speed Fast Switching Type, 650V 40A, Automotive Hybrid IGBT with Built-In SiC-SBD	数据表	443库存量	¥127.0572 ¥77.6649 ¥71.5516	最低： 1 倍数： 1			SiC	TO-247N-3	Through Hole	Single	650 V	1.9 V	30 V	81 A	214 W	- 40 C	+ 175 C	Tube