RGWS60TS65DGC13

Name: ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RGWS60TS65DGC13
Price: 48.24 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RGWS60TS65DGC13

制造商编号：

RGWS60TS65DGC13

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

绝缘栅双极晶体管(IGBT) TO247 650V 30A TRNCH

数据表:

RGWS60TS65DGC13 数据表 (PDF)

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RGWS60TS65DGC13详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	绝缘栅双极晶体管(IGBT)
RoHS:
技术:	Si
封装 / 箱体:	TO-247GE-3
安装风格:	Through Hole
配置:	Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:	650 V
集电极—射极饱和电压:	2 V
栅极/发射极最大电压:	30 V
在25 C的连续集电极电流:	51 A
Pd-功率耗散:	156 W
最小工作温度:	- 40 C
最大工作温度:	+ 175 C
封装:	Tube
商标:	ROHM Semiconductor
栅极—射极漏泄电流:	200 nA
产品类型:	IGBTs
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
零件号别名:	RGWS60TS65D

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RGWS60TS65DGC13 数据表 (PDF)

Specification Sheets

此功能要求启用JavaScript。

合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

RGW 650V场终止沟槽型IGBT

ROHM Semiconductor RGW 650V场终止沟槽型IGBT采用小型封装，具有低集电极-发射极饱和电压。RGW IGBT具有高速开关、低开关损耗和内置极快软恢复FRD。ROHM RGW 650V场终止沟槽型IGBT非常适合用于太阳能逆变器、UPS、焊接、IH和PFC应用。

Field Stop Trench IGBTs

ROHM Field Stop Trench IGBTs are energy-saving, high-efficiency IGBTs used in a wide range of high-voltage and high-current applications. These IGBTs feature a low collector and emitter saturation voltage, short-circuit that withstands time, and built-in very fast and soft recovery FRD. The field stop trench IGBTs are ideal for UPS, power conditioners, welder, and general inverters for industrial use.