RH6E040BGTB1

ROHM Semiconductor
755-RH6E040BGTB1
RH6E040BGTB1

制造商：

说明：
MOSFET Nch 30V 125A, HSMT8, Power MOSFET

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
ROHM Semiconductor
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
HSMT-8
N-Channel
1 Channel
30 V
125 A
2.9 mOhms
20 V
2.5 V
30 nC
- 55 C
+ 150 C
78 W
Enhancement
Reel
Cut Tape
商标: ROHM Semiconductor
配置: Single
下降时间: 19 ns
正向跨导 - 最小值: 27 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 9.6 ns
工厂包装数量: 3000
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 54 ns
典型接通延迟时间: 18 ns
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已选择的属性: 0

数据表

Specification Sheets

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合规代码
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
854129000
TARIC:
8541290000
MXHTS:
8541299900
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

RH6 N沟道功率MOSFET

ROHM Semiconductor RH6 N通道功率MOSFET采用小型、大功率、8引脚、表面贴装模压封装 (HSMT-8)，具有低导通电阻。RH6 MOSFET的功耗为59W，工作温度范围为-55°C至+150°C。RH6 N沟道功率MOSFET设计用于开关应用。

库存量: 2,680

库存：
2,680 可立即发货
生产周期：
20 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
¥19.7637 ¥19.76
¥9.5937 ¥95.94
¥8.5993 ¥859.93
¥6.8704 ¥3,435.20
¥6.667 ¥6,667.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
¥5.8534 ¥17,560.20

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