RJ1P04BBHTL1

Name: ROHM Semiconductor RJ1P04BBHTL1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RJ1P04BBHTL1
Price: 32.94 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RJ1P04BBHTL1

制造商编号：

RJ1P04BBHTL1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET TO263 100V 80A N-CH MOSFET

数据表:

RJ1P04BBHTL1 数据表

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263AB-3
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	8.8 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	89 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	30 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
湿度敏感性:	Yes
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	22 ns
工厂包装数量:	800
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	60 ns
典型接通延迟时间:	24 ns

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数据表

RJ1P04BBHTL1 数据表

Specification Sheets

Datasheet - Chinese (English language)

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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