RQ3N060ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RQ3N060ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RQ3N060ATTB1
Price: 15.88 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RQ3N060ATTB1

制造商编号：

RQ3N060ATTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET HSMT8 P-CH 80V 6A

寿命周期:

新产品:

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSMT-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	80 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	52 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	46 ns
正向跨导 - 最小值:	7.4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	21 ns
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	125 ns
典型接通延迟时间:	20 ns

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Low-Gate Drive Voltage MOSFETs

ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs have a wide drive type of 0.9V to 10V. This wide drive type range offers support for applications ranging from a small signal to high power. ROHM Low-Gate Drive Voltage MOSFETs come in a wide choice of sizes as small as the microminiature package (0604 sizes). This variety of sizes helps to contribute to area space-saving in an application. These MOSFETs offer superior high-speed switching and low On-Resistance.