您似乎禁用了您浏览器中的JavaScript功能。本网页上的某些功能需要登录后才能使用。

返回至搜索结果

RS1E280BNTB

Name: ROHM Semiconductor RS1E280BNTB
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1E280BNTB
Price: 11.05 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RS1E280BNTB

制造商编号：

RS1E280BNTB

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

数据表:

RS1E280BNTB 数据表

ECAD模型:

下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。

更多信息

了解ROHM Semiconductor RS1E280BNTB详情

.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	94 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	28 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	100 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-channel
典型关闭延迟时间:	160 ns
典型接通延迟时间:	31 ns
零件号别名:	RS1E280BN
单位重量:	771.020 mg

找到的产品:

要显示类似产品，至少选中一个复选框

要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。

已选择的属性: 0

筛选文档:

数据表

RS1E280BNTB 数据表

Models

ThermalLink

Other

Specification Sheets

SPICE Models

SpiceLink

Technical Resources

Test/Quality Data

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Silicon Power MOSFETs

ROHM Semiconductor Silicon Power MOSFETs feature ultra-fast switching speeds and low on-resistance. These MOSFETs are available in a wide lineup of packages, including the miniature 0604 size to save space in various designs.

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR

600V超接合点（SJ）MOSFET

紧凑、扁平封装选项，提供出色的散热性能。

了解更多的信息

RH7G03BBJFRA P沟道功率MOSFET

该功率MOSFET的VDSS额定值为-40V，ID额定值（VDS =-10V）为±22A。

了解更多的信息

RJ1P10BAT P沟道功率MOSFET

该MOSFET的VDSS额定值为-100V，ID额定值（VDS=10V）为±105A。

了解更多的信息

RD3x汽车N沟道功率MOSFET

AEC-Q101 MOSFET具有正向电压低、恢复时间快、浪涌能力高等特性。

了解更多的信息

RQxAT P沟道MOSFET

采用表面贴装封装，具有低导通电阻，且100%经过Rg和UIS测试。

了解更多的信息

库存量: 7,159

库存：: 7,159 可立即发货

出现意外错误。请稍候重试。
生产周期：: 20 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥12.4865	¥12.49
	¥5.8534	¥58.53
	¥5.198	¥519.80
	¥4.0567	¥2,028.35
	¥3.7516	¥3,751.60
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥3.2883	¥8,220.75
	¥2.9154	¥14,577.00
	¥2.9041	¥29,041.00
	¥2.8589	¥71,472.50

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

RS1E280BNTB

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

规格

文件 (15)

数据表

Models

Other

Specification Sheets

SPICE Models

Technical Resources

Test/Quality Data

环境文件

产品与贸易合规

更多信息

Silicon Power MOSFETs

客户还购买了

特色产品 ROHM SEMICONDUCTOR

库存量: 7,159

定价 (含13% 增值税)

快速查看

出现意外错误。

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET 4.5V Drive Nch MOSFET

特色产品

ROHM SEMICONDUCTOR