RS1E281BNTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1E281BNTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1E281BNTB1
Price: 7.03 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-RS1E281BNTB1

制造商编号：

RS1E281BNTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET Transistor, MOSFET Nch, 30V(Vdss), 28.1A(Id), (4.5V Drive)

数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	80 A
Rds On-漏源导通电阻:	2.3 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	94 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	30 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	28 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	100 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	160 ns
典型接通延迟时间:	31 ns
零件号别名:	RS1E281BN
单位重量:	771.020 mg

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Specification Sheets

Technical Resources

Test/Quality Data

REACH Regulation (PDF)

RoHS (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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