RS1P090ATTB1

Name: ROHM Semiconductor RS1P090ATTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS1P090ATTB1
Price: 28.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-RS1P090ATTB1

制造商编号：

RS1P090ATTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET HSOP8 100V 33A P CHAN

数据表:

RS1P090ATTB1 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	33 A
Rds On-漏源导通电阻:	34 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	125 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	40 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	185 ns
正向跨导 - 最小值:	20 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	32 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	410 ns
典型接通延迟时间:	22 ns

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已选择的属性: 0

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 105

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在途量:: 2,500

预期 2026/12/4
生产周期：: 28

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

本产品所报告的交付时间长。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
	¥32.6683	¥32.67
	¥19.2778	¥192.78
	¥15.3002	¥1,530.02
	¥12.7351	¥6,367.55
	¥12.3283	¥12,328.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥11.413	¥28,532.50

RS1P090ATTB1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET HSOP8 100V 33A P CHAN

规格

文件 (3)

数据表

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