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RS6P100BHTB1

Name: ROHM Semiconductor RS6P100BHTB1
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-RS6P100BHTB1
Price: 31.4 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

755-RS6P100BHTB1

制造商编号：

RS6P100BHTB1

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

MOSFET HSOP8 100V 100A

数据表:

RS6P100BHTB1 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	HSOP-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	100 V
Id-连续漏极电流:	100 A
Rds On-漏源导通电阻:	5.9 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	45 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	104 W
通道模式:	Enhancement
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	30 ns
正向跨导 - 最小值:	35 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	35 ns
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	69 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
零件号别名:	RS6P100BH

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数据表

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Specification Sheets

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 838

库存：: 838 可立即发货

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生产周期：: 28 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥35.482	¥35.48
	¥18.1139	¥181.14
	¥16.4641	¥1,646.41
	¥13.8086	¥6,904.30
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥12.9837	¥32,459.25

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

RS6P100BHTB1

制造商： ROHM Semiconductor

说明： MOSFET HSOP8 100V 100A

规格

文件 (3)

数据表

Specification Sheets

环境文件

产品与贸易合规

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说明：

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