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RX2L10BBG MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	技术	安装风格	封装 / 箱体	晶体管极性	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	封装
	MOSFET Transistor, RX2L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. RX2L10BBGC7G ROHM Semiconductor 1: ¥56.161 797库存量新产品	制造商零件编号 RX2L10BBGC7G Mouser 零件编号 755-RX2L10BBGC7G 新产品	ROHM Semiconductor	MOSFET Transistor, RX2L10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.	数据表	797库存量	¥56.161 ¥32.092 ¥26.7132 ¥23.9899	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	60 V	180 A	1.84 mOhms	20 V	2.5 V	160 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	Tube
	MOSFET Transistor, RX2G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter. RX2G10BBGC7G ROHM Semiconductor 1: ¥55.5847 893库存量新产品	制造商零件编号 RX2G10BBGC7G Mouser 零件编号 755-RX2G10BBGC7G 新产品	ROHM Semiconductor	MOSFET Transistor, RX2G10BBG is a power MOSFET with low on-resistance and high power package, suitable for switching, motor drives, and DC/DC converter.	数据表	893库存量	¥55.5847 ¥31.6852 ¥26.3855 ¥23.6622	最低： 1 倍数： 1			Si	Through Hole	TO-220FM-3	N-Channel	1 Channel	40 V	205 A	1.47 mOhms	20 V	2.5 V	210 nC	- 55 C	+ 150 C	100 W	Enhancement	Tube

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