SCT015W120G3-4 碳化硅MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package 443库存量
¥229.2883
¥183.5459
¥158.7311
¥150.29
最低: 1
倍数: 1
Through Hole HiP-247-4 1 Channel 1.2 kV 129 A 15 mOhms - 18 V, + 18 V 4.2 V 167 nC - 55 C + 200 C 673 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
100在途量
¥113.1582
¥84.2867
¥70.2295
¥62.6133
最低: 1
倍数: 1
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 40 A 54 mOhms - 10 V, + 22 V 3.1 V 56 nC - 55 C + 200 C 312 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 无库存交货期 36 周
¥104.3894
¥77.7553
¥64.7716
¥57.7317
最低: 1
倍数: 1
Through Hole HiP247-4 1.2 kV 30 A 87 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 41 nC - 55 C + 200 C 236 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
Through Hole HiP247-4 1 Channel 1.2 kV 56 A 37 mOhms - 10 V, 22 V 4.2 V 73 nC - 55 C + 200 C 388 W Enhancement