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半导体
分立半导体
晶体管
碳化硅MOSFET
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SCT015W120G3-4 碳化硅MOSFET
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封装 / 箱体
通道数量
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Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
Pd-功率耗散
资格
HiP247-4
HiP-247-4
重置
1 Channel
重置
30 A
40 A
56 A
129 A
≤
≥
重置
15 mOhms
37 mOhms
54 mOhms
87 mOhms
≤
≥
重置
- 18 V, + 18 V
- 10 V, + 22 V
- 10 V, 22 V
≤
≥
重置
3 V
3.1 V
4.2 V
≤
≥
重置
41 nC
56 nC
73 nC
167 nC
≤
≥
重置
236 W
312 W
388 W
673 W
≤
≥
重置
AEC-Q101
重置
重置所有
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安装风格
封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
1:
¥229.2883
443
库存量
制造商零件编号
SCT015W120G3-4AG
Mouser 零件编号
511-SCT015W120G3-4AG
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 15 mOhm typ., 129 A in an HiP247-4 package
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关于STMicroelectronics stm automotive grade mosfets
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数据表
443
库存量
1
¥229.2883
10
¥183.5459
100
¥158.7311
600
¥150.29
1,200
报价
1,200
报价
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Through Hole
HiP-247-4
1 Channel
1.2 kV
129 A
15 mOhms
- 18 V, + 18 V
4.2 V
167 nC
- 55 C
+ 200 C
673 W
Enhancement
AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
1:
¥113.1582
100
在途量
制造商零件编号
SCT040W120G3-4
Mouser 零件编号
511-SCT040W120G3-4
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 40 mOhm typ., 40 A in an HiP247-4 package
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数据表
100
在途量
1
¥113.1582
10
¥84.2867
100
¥70.2295
500
¥62.6133
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Through Hole
HiP247-4
1 Channel
1.2 kV
40 A
54 mOhms
- 10 V, + 22 V
3.1 V
56 nC
- 55 C
+ 200 C
312 W
Enhancement
AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
1:
¥104.3894
无库存交货期 36 周
制造商零件编号
SCT070W120G3-4
Mouser 零件编号
511-SCT070W120G3-4
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 63 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package
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关于STMicroelectronics stm sctw70n120g2v 1200v sic power mosfet
的信息
数据表
无库存交货期 36 周
1
¥104.3894
10
¥77.7553
100
¥64.7716
500
¥57.7317
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
Through Hole
HiP247-4
1.2 kV
30 A
87 mOhms
- 10 V, + 22 V
3 V
41 nC
- 55 C
+ 200 C
236 W
Enhancement
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
SCT025W120G3-4
STMicroelectronics
受限供货情况
新产品
制造商零件编号
SCT025W120G3-4
Mouser 零件编号
511-SCT025W120G3-4
新产品
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 27 mOhm typ., 56 A in an HiP247-4 package
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
数据表
受限供货情况
详细信息
Through Hole
HiP247-4
1 Channel
1.2 kV
56 A
37 mOhms
- 10 V, 22 V
4.2 V
73 nC
- 55 C
+ 200 C
388 W
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