SCT040H65G3SAG 碳化硅MOSFET

结果: 5
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V 40 mOhm typ. 30 A 543库存量
1,000预期 2027/7/2
剪切带
¥108.8529
¥81.1453
¥67.574
¥60.2177
卷轴
¥56.3305
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT 1 Channel 650 V 30 A 40 mOhms - 10 V, + 22 V 4.2 V 39.5 nC - 55 C + 175 C 221 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 35 A in a TO-LL package 8库存量
1,800预期 2027/6/10
剪切带
¥92.8069
¥65.5965
¥54.5903
¥48.7143
¥45.4938
卷轴
¥45.4938
最低: 1
倍数: 1
: 1,800
SMD/SMT TOLL-8 1 Channel 650 V 35 A 63 mOhms - 10 V, + 22 V 3 V 42.5 nC - 55 C + 175 C 288 W Enhancement
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A
600预期 2027/8/6
剪切带
¥112.9887
¥86.106
¥71.7098
卷轴
¥63.9354
¥60.4663
最低: 1
倍数: 1
: 600
SMD/SMT H2PAK-2 1 Channel 650 V 7 A 40 mOhms - 30 V, + 30 V 5 V 36 nC - 55 C + 150 C 266 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics SCT040H65G3-7
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 40 mOhm typ., 30 A in an H2PAK-7 package
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
STMicroelectronics SCT040W65G3AG
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A
Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。
AEC-Q100