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SCT040W65G3-4 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4 STMicroelectronics 1: ¥93.3832 457库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4 Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	457库存量	¥93.3832 ¥51.0308 ¥46.7368	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package SCT040W65G3-4AG STMicroelectronics 1: ¥109.8473 429库存量	制造商零件编号 SCT040W65G3-4AG Mouser 零件编号 511-SCT040W65G3-4AG	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 mOhm typ., 30 A in an HiP247-4 package 了解更多关于STMicroelectronics stm 650 sic mosfets 的信息	数据表	429库存量	¥109.8473 ¥81.8007 ¥68.2407 ¥60.794 ¥56.7486	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP247-4	1 Channel	650 V	30 A	63 mOhms	- 10 V, + 22 V	3 V	37.5 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101

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