SCT10N120AG

Name: STMicroelectronics SCT10N120AG
Brand: STMicroelectronics
SKU: 511-SCT10N120AG
Price: 72.1 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

511-SCT10N120AG

制造商编号：

SCT10N120AG

制造商：

STMicroelectronics

说明：

碳化硅MOSFET Automotive-grade Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 500 mOhm typ., 12 A in an

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数据表:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	STMicroelectronics
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	12 A
Rds On-漏源导通电阻:	500 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3.5 V
Qg-栅极电荷:	22 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 200 C
Pd-功率耗散:	150 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	STMicroelectronics
封装:	Tube
产品类型:	SiC MOSFETS
工厂包装数量:	600
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
单位重量:	4.500 g

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数据表

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EOL

Product Discontinuation Notification 2026-10-30 (PDF)

PCN

合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

碳化硅功率MOSFET

STMicroelectronics碳化硅功率MOSFET将宽禁带材料的先进性和可靠性引入到更广泛的节能应用中，如用于电动/混合动力汽车、太阳能或风力发电、高效驱动器、电源和智能电网设备的逆变器。从650V到1700V的扩展电压范围使其具有出色的开关性能，以及极低的单位面积导通电阻R_DS(on)性能指标，从而实现了更高效、更紧凑的系统。ST的1200V SiC MOSFET具有200°C的高温度额定值，可改进电力电子系统的散热设计。与硅MOSFET相比，SiC MOSFET的开关损耗更低，且随温度的变化更小。