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SCT20N120 碳化硅MOSFET

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格	商标名
碳化硅MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT20N120 STMicroelectronics 受限供货情况寿命结束	制造商零件编号 SCT20N120 Mouser 零件编号 511-SCT20N120 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表	更多信息可用		受限供货情况	Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	239 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.5 V	45 nC	- 55 C	+ 200 C	175 W	Enhancement		HiP247
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package SCT20N120H STMicroelectronics 1: ¥95.5415 353库存量寿命结束	制造商零件编号 SCT20N120H Mouser 零件编号 511-SCT20N120H 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an H2PAK-2 package	数据表	353库存量	剪切带 ¥95.5415 ¥69.0656 ¥57.6526 ¥48.9629 报价报价 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1	SMD/SMT	H2PAK-3	1 Channel	1.2 kV	20 A	239 mOhms	- 10 V, + 25 V	3.5 V	45 nC	- 55 C	+ 175 C	175 W	Enhancement
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an SCT20N120AG STMicroelectronics 1: ¥141.5325 334库存量寿命结束	制造商零件编号 SCT20N120AG Mouser 零件编号 511-SCT20N120AG 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 169 mOhm typ., 20 A in an 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	334库存量	¥141.5325 ¥100.3327 ¥74.693 ¥66.9977 报价报价	最低： 1 倍数： 1	Through Hole		1 Channel	1.2 kV	20 A	239 mOhms	- 20 V, + 20 V	3.5 V	45 nC	- 55 C	+ 200 C	175 W	Enhancement	AEC-Q101

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