SCT2160KEHRC11

Name: ROHM Semiconductor SCT2160KEHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT2160KEHRC11
Price: 113.68 RMB
Availability: OutOfStock

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Mouser编号：

755-SCT2160KEHRC11

制造商编号：

SCT2160KEHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 2nd Gen TO-247

数据表:

SCT2160KEHRC11 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247N-3
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	22 A
Rds On-漏源导通电阻:	208 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 6 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	4 V
Qg-栅极电荷:	62 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	165 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	27 ns
正向跨导 - 最小值:	2.4 S
封装:	Tube
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	25 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	67 ns
典型接通延迟时间:	23 ns
零件号别名:	SCT2160KEHR

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已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
Process (PPAP) requirements or contact a Mouser Technical Sales 
Representative for further assistance. 

5-0617-50

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Specification Sheets

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SiC肖特基势垒二极管

ROHM Semiconductor^® SiC（碳化硅）肖特基势垒二极管具有很小的总电容电荷 (Qc)，可减少开关损耗，实现高速开关操作。此外，与trr随温度增大的硅基快速恢复二极管不同，SiC设备能维持恒定特性，可提供更高的性能。此系列二极管适用于各种应用的关键设备，包括用于EV和太阳能电力调节器的逆变器和转换器。