SCT3017ALHRC11

Name: ROHM Semiconductor SCT3017ALHRC11
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3017ALHRC11
Price: 925.03 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT3017ALHRC11

制造商编号：

SCT3017ALHRC11

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET 650V 118A 427W SIC 17mOhm TO-247N

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247N-3
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	118 A
Rds On-漏源导通电阻:	22.1 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	172 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	427 W
通道模式:	Enhancement
资格:	AEC-Q101
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	31 ns
正向跨导 - 最小值:	16 S
封装:	Tube
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	44 ns
系列:	SCT3x
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	64 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
零件号别名:	SCT3017ALHR
单位重量:	6 g

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已选择的属性: 0

                        
ROHM Semiconductors AEC-Q101 qualified products are not 
intended for volume automotive production without ROHM 
Semiconductors prior approval. 

Please contact ROHM Semiconductor for Production Part Approval 
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Representative for further assistance. 

5-0617-50

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

AEC-Q101 SiC Power MOSFETs

ROHM Semiconductor AEC-Q101 SiC Power MOSFETs are ideal for automotive and switch-mode power supplies. The SiC Power MOSFETs can boost switching frequency, decreasing the volumes of capacitors, reactors, and other components required. AEC-Q101 SiC Power MOSFETs offer excellent reductions in size and weight within various drive systems, such as inverters and DC-DC converters in vehicles. Vehicle batteries are trending towards larger capacities with shorter charging times. This demands high power and efficiency on board chargers such as 11kW and 22kW. This leads to increased adoption of SiC MOSFETs. The AEC-Q101 SiC Power MOSFETs meet the needs of electronic vehicles and utilize a trench gate structure. The future design of ROHM's SiC MOSFETs endeavors to improve quality, strengthen its lineup to increase device performance, reduce power consumption, and achieve greater miniaturization.

SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET

ROHM SCT3x第三代SiC沟槽MOSFET采用专属的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，其导通电阻降低了50%，输入电容降低了35%。这就大大降低了开关损耗并加快了开关速度，提高了效率，同时降低了各种设备的功率损耗。这些MOSFET提供650V和1200V两个版本。

碳化硅 (SiC) 功率器件

ROHM Semiconductor SiC功率器件的绝缘击穿场强是传统硅功率器件的10倍，而带隙和热传导性能均是硅器件的3倍，因此，SiC功率器件具有更低的开关损耗和导通电阻，以及较高的工作温度，进而可降低功耗，缩小模块尺寸。此外，设计时所需要的元器件数也更少，降低了设计复杂度。

N沟道SiC功率MOSFET

ROHM SemiconductorN沟道SiC（碳化硅）功率MOSFET在开关期间不会产生尾电流，因此动作更快，开关损耗更低。它们的低导通电阻和紧凑的芯片尺寸确保了低电容和栅极电荷。这些ROHM SiC Power MOSFET的导通电阻增加非常微弱，封装小型化更为出色。与标准硅器件相比，它们具有更出色的节能效果，在标准硅器件中，导通电阻随温度的升高可增加一倍以上。