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SCT3022AL 碳化硅MOSFET

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结果: 3

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封装 / 箱体

Vds-漏源极击穿电压

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图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS SCT3022ALGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥464.7012 198库存量	制造商零件编号 SCT3022ALGC11 Mouser 零件编号 755-SCT3022ALGC11	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 93A 22mOhm TrenchMOS 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets 的信息	数据表	198库存量	¥464.7012 ¥350.3904 ¥337.983	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	93 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement
碳化硅MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N SCT3022ALHRC11 ROHM Semiconductor 450: ¥520.1164 无库存交货期 27 周	制造商零件编号 SCT3022ALHRC11 Mouser 零件编号 755-SCT3022ALHRC11	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET 650V 93A 339W SIC 22mOhm TO-247N 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets 的信息	数据表	无库存交货期 27 周	¥520.1164	最低： 450 倍数： 450	Through Hole	TO-247-3	1 Channel	650 V	93 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	133 nC	- 55 C	+ 175 C	339 W	Enhancement	AEC-Q101
碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N SCT3022KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ¥1,096.3147 199库存量	制造商零件编号 SCT3022KLHRC11 Mouser 零件编号 755-SCT3022KLHRC11	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET 1200V 95A 427W SIC 22mOhm TO-247N 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets 的信息	数据表	199库存量	¥1,096.3147 ¥1,022.9438	最低： 1 倍数： 1	Through Hole	TO-247N-3	1 Channel	1.2 kV	95 A	28.6 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	178 nC	- 55 C	+ 175 C	427 W	Enhancement	AEC-Q101

SCT3022AL 碳化硅MOSFET

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