SCT3030AL 碳化硅MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 70A 30mOhm TrenchMOS 84库存量
¥276.5223
¥188.1789
¥184.1222
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 70A 262W SIC 30mOhm TO-247N
366库存量
¥409.5233
¥340.0509
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 650V 70A N-CH SIC 978库存量
剪切带
¥313.9027
¥242.0234
¥234.1699
卷轴
¥234.1699
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 267 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 1200V 72A 339W SIC 30mOhm TO-247N
345库存量
¥610.6972
¥549.9823
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 1.2 kV 72 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 131 nC - 55 C + 175 C 339 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC 195库存量
¥425.6597
¥325.9824
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 30 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 70A N-CH SIC 无库存交货期 27 周
¥124.3226
最低: 450
倍数: 450
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 70 A 39 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 104 nC + 175 C 262 W Enhancement