SCT3060ALHR 碳化硅MOSFET

结果: 6
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 650V 39A 165W SIC 60mOhm TO-247N
428库存量
¥215.4797
¥149.7137
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-263-7L 1,757库存量
剪切带
¥167.2513
¥109.5987
¥103.0673
卷轴
¥103.0673
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 650 V 38 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 159 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-247-4L 888库存量
¥120.6049
¥70.3086
¥69.7323
¥66.0937
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 704库存量
¥220.7681
¥143.51
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET N-Ch 650V SiC 39A 60mOhm TrenchMOS 180库存量
900在途量
¥135.8147
¥77.179
¥77.0886
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-3 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 3库存量
¥122.1756
¥71.3821
¥64.1049
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement