SCT3060AR 碳化硅MOSFET

结果: 4
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 704库存量
¥220.7681
¥143.51
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 60 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC - 55 C + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-247-4L 888库存量
¥120.6049
¥70.3086
¥69.7323
¥66.0937
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 650V 39A N-CH SIC 3库存量
¥122.1756
¥71.3821
¥64.1049
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 650 V 39 A 78 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 58 nC + 175 C 165 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 55A N-CH SIC 61库存量
¥445.1748
¥344.424
最低: 1
倍数: 1
Through Hole TO-247-4 1 Channel 1.2 kV 55 A 40 mOhms - 4 V, + 22 V 5.6 V 107 nC - 55 C + 175 C 262 W Enhancement