SCT3060ARHRC15

Name: ROHM Semiconductor SCT3060ARHRC15
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3060ARHRC15
Price: 106.73 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT3060ARHRC15

制造商编号：

SCT3060ARHRC15

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 60mO 3rd Gen TO-247-4L

数据表:

SCT3060ARHRC15 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	Through Hole
封装 / 箱体:	TO-247-4
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	39 A
Rds On-漏源导通电阻:	78 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	58 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	165 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
合规:	Done
配置:	Single
下降时间:	14 ns
正向跨导 - 最小值:	4.9 S
封装:	Tube
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	15 ns
工厂包装数量:	450
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	16 ns
典型接通延迟时间:	5 ns

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数据表

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Specification Sheets

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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