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RoHS

.hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

SCT3080KL 碳化硅MOSFET

.catnav-wrapper { height: auto; overflow: visible; } .catalog-nav-tabs ul { white-space: normal; }

结果: 4

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封装 / 箱体

Vds-漏源极击穿电压

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Rds On-漏源导通电阻

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.search-refine-wrapper { display: inline-block; min-width: 100%; } .scroll-body { overflow-x: visible; } .search-table-wrapper { overflow: visible; } .hide-partial { max-height: none; } .show-more { display: none; }

选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS SCT3080KLGC11 ROHM Semiconductor 1: ¥197.8517 1,034库存量	制造商零件编号 SCT3080KLGC11 Mouser 零件编号 755-SCT3080KLGC11	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET N-Ch 1200V SiC 31A 80mOhm TrenchMOS 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm sct3x sic power mosfets 的信息	数据表	1,034库存量	¥197.8517 ¥124.8198	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	104 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N SCT3080KLHRC11 ROHM Semiconductor 1: ¥224.5762 171库存量	制造商零件编号 SCT3080KLHRC11 Mouser 零件编号 755-SCT3080KLHRC11	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET 1200V 31A 165W SIC 80mOhm TO-247N 了解更多关于ROHM Semiconductor rohm aec q101 sic power mosfets 的信息	数据表	171库存量	¥224.5762 ¥157.7367	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-3	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	2.7 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement	AEC-Q101
	碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC SCT3080KRC14 ROHM Semiconductor 1: ¥157.3299 150库存量 NRND	制造商零件编号 SCT3080KRC14 Mouser 零件编号 755-SCT3080KRC14 NRND	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET TO247 1.2KV 31A N-CH SIC	数据表	150库存量	¥157.3299 ¥93.1346	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	1.2 kV	31 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	60 nC	- 55 C	+ 175 C	165 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver SCT3080ARC14 ROHM Semiconductor 1: ¥178.992 529库存量 NRND	制造商零件编号 SCT3080ARC14 Mouser 零件编号 755-SCT3080ARC14 NRND	ROHM Semiconductor	碳化硅MOSFET 650V Nch SiC Trench MOSFET in 4pin Package - SCT3080AR is a trench gate structure SiC MOSFET ideal for server power supplies, solar inverters, and electric vehicle charging stations. A 4pin package that separates the power source terminal and driver	数据表	529库存量	¥178.992 ¥141.6907 ¥122.5824 ¥115.9719 报价报价	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	TO-247-4	1 Channel	650 V	30 A	80 mOhms	- 4 V, + 22 V	5.6 V	48 nC	- 55 C	+ 175 C	134 W	Enhancement