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SCT30N120 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	商标名
	碳化硅MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET SCT30N120 STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SCT30N120 Mouser 零件编号 511-SCT30N120 停产	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	1.2 kV	45 A	80 mOhms	- 10 V, + 25 V	3.5 V	105 nC	- 55 C	+ 200 C	270 W	Enhancement	HiP247
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm SCT30N120H STMicroelectronics 1: ¥231.2771 813库存量寿命结束	制造商零件编号 SCT30N120H Mouser 零件编号 511-SCT30N120H 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 A, 90 mOhm 了解更多关于STMicroelectronics stm silicon carbide mosfets 的信息	数据表	813库存量	剪切带 ¥231.2771 ¥185.1957 ¥160.1436 ¥151.6234 ¥143.6004 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1			SMD/SMT	H2PAK-2	1 Channel	1.2 kV	45 A	90 mOhms	- 10 V, + 25 V	1.8 V	105 nC	- 55 C	+ 175 C	270 W	Enhancement

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