SCT3120AW7TL

Name: ROHM Semiconductor SCT3120AW7TL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3120AW7TL
Price: 97.5 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT3120AW7TL

制造商编号：

SCT3120AW7TL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 650V 120mO 3rd Gen TO-263-7L

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	650 V
Id-连续漏极电流:	21 A
Rds On-漏源导通电阻:	156 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 4 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	38 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	100 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
下降时间:	11 ns
正向跨导 - 最小值:	2.7 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	14 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	19 ns
典型接通延迟时间:	6 ns
零件号别名:	SCT3120AW7
单位重量:	1.600 g

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合规代码

CNHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

SCTxxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET

ROHM Semiconductor SCT3xxxAW7/SCT3xxxKW7 SiC沟槽型7引脚MOSFET采用专有的沟槽式栅极结构，与平面型SiC MOSFET相比，导通电阻降低50%，输入电容降低35%。MOSFET包含一个额外的引脚，可分离驱动器和电源引脚，消除电感元件在减少Vgs方面的影响，确保更快的开关速度。ROHM Semiconductor沟槽型MOSFET具有高电压电阻、低导通电阻、快速开关速度、易于驱动和易于并联等特性。