SCT3160KW7HRTL

Name: ROHM Semiconductor SCT3160KW7HRTL
Brand: ROHM Semiconductor
SKU: 755-SCT3160KW7HRTL
Price: 77.01 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

755-SCT3160KW7HRTL

制造商编号：

SCT3160KW7HRTL

制造商：

ROHM Semiconductor

说明：

碳化硅MOSFET Transistor SiC MOSFET 1200V 160mO 3rd Gen TO-263-7L

数据表:

SCT3160KW7HRTL 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	ROHM Semiconductor
产品种类:	碳化硅MOSFET
RoHS:
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TO-263-7
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	1.2 kV
Id-连续漏极电流:	17 A
Rds On-漏源导通电阻:	208 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	- 10 V, + 22 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	5.6 V
Qg-栅极电荷:	42 nC
最大工作温度:	+ 175 C
Pd-功率耗散:	59 W
通道模式:	Enhancement
商标:	ROHM Semiconductor
配置:	Single
下降时间:	9 ns
正向跨导 - 最小值:	2.5 S
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
产品:	MOSFET's
产品类型:	SiC MOSFETS
上升时间:	9 ns
工厂包装数量:	1000
子类别:	Transistors
晶体管极性:	N-Channel
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	14 ns
典型接通延迟时间:	3 ns
零件号别名:	SCT3160KW7HR

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合规代码

CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 泰国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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