SCT4065DWA 碳化硅MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1,000库存量
剪切带
¥75.597
¥51.6184
¥38.0471
¥37.8889
卷轴
¥35.5724
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET 750V, 45mO, 4-pin THD, Trench-structure, Silicon-carbide(SiC) power MOSFET 1,000库存量
剪切带
¥77.4276
¥42.4315
¥39.0415
卷轴
¥36.9736
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7LA 1 Channel 750 V 22 A 85 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 48 nC + 175 C 71 W Enhancement AEC-Q101
ROHM Semiconductor 碳化硅MOSFET TO263 750V 31A N-CH SIC 23库存量
1,000在途量
剪切带
¥101.8243
¥58.5679
¥56.8277
¥53.5959
卷轴
¥50.7031
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT TO-263-7 1 Channel 750 V 31 A 45 mOhms - 4 V, + 21 V 4.8 V 63 nC + 175 C 93 W Enhancement