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SCTH35N65G2V-7 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm 45 A SCTH35N65G2V-7 STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SCTH35N65G2V-7 Mouser 零件编号 511-SCTH35N65G2V-7 停产	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm 45 A Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 SCTH35N65G2V-7AG STMicroelectronics 1: ¥116.051 172库存量寿命结束	制造商零件编号 SCTH35N65G2V-7AG Mouser 零件编号 511-SCTH35N65G2V-7AG 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25	数据表	172库存量	剪切带 ¥116.051 ¥66.1728 ¥62.037 ¥62.037 MouseReel 提供服务支持	最低： 1 倍数： 1			SMD/SMT	H2PAK-7	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 175 C	208 W	Enhancement	AEC-Q101

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