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半导体
分立半导体
晶体管
碳化硅MOSFET
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SCTH60N120G2-7AG 碳化硅MOSFET
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半导体
分立半导体
晶体管
碳化硅MOSFET
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
Pd-功率耗散
资格
45 A
90 A
95 A
≤
≥
重置
26 mOhms
67 mOhms
≤
≥
重置
1.9 V
5 V
≤
≥
重置
73 nC
157 nC
162 nC
≤
≥
重置
208 W
330 W
360 W
≤
≥
重置
AEC-Q101
重置
重置所有
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封装 / 箱体
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
资格
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25
+2图像
SCTH35N65G2V-7AG
STMicroelectronics
1:
¥116.051
172
库存量
寿命结束
制造商零件编号
SCTH35N65G2V-7AG
Mouser 零件编号
511-SCTH35N65G2V-7AG
寿命结束
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25
数据表
172
库存量
剪切带
1
¥116.051
10
¥66.1728
100
¥62.037
1,000
¥62.037
MouseReel 提供服务支持
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
650 V
45 A
67 mOhms
- 10 V, + 22 V
5 V
73 nC
- 55 C
+ 175 C
208 W
Enhancement
AEC-Q101
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2
SCTH100N65G2-7AG
STMicroelectronics
1:
¥256.2501
804
库存量
寿命结束
制造商零件编号
SCTH100N65G2-7AG
Mouser 零件编号
511-SCTH100N65G2-7AG
寿命结束
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2
数据表
804
库存量
剪切带
1
¥256.2501
10
¥173.2064
1,000
¥173.2064
MouseReel 提供服务支持
购买
最低:
1
倍数:
1
详细信息
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
650 V
95 A
26 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
162 nC
- 55 C
+ 175 C
360 W
Enhancement
AEC-Q101
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an
+2图像
SCTH90N65G2V-7
STMicroelectronics
1:
¥249.7978
12,739
库存量
寿命结束
制造商零件编号
SCTH90N65G2V-7
Mouser 零件编号
511-SCTH90N65G2V-7
寿命结束
STMicroelectronics
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an
数据表
12,739
库存量
剪切带
1
¥249.7978
10
¥225.8983
25
¥222.5874
50
¥186.6082
100
查看
卷轴
1,000
¥171.8052
100
¥178.9129
250
¥174.6189
500
¥172.0538
1,000
¥171.8052
MouseReel 提供服务支持
购买
最低:
1
倍数:
1
卷轴
:
1,000
详细信息
SMD/SMT
H2PAK-7
1 Channel
650 V
90 A
26 mOhms
- 10 V, + 22 V
1.9 V
157 nC
- 55 C
+ 175 C
330 W
Enhancement
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