SCTH60N120G2-7AG 碳化硅MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 安装风格 封装 / 箱体 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 资格

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ. TJ = 25 172库存量
剪切带
¥116.051
¥66.1728
¥62.037
¥62.037
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 45 A 67 mOhms - 10 V, + 22 V 5 V 73 nC - 55 C + 175 C 208 W Enhancement AEC-Q101
STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 20 mOhm typ., 95 A in an H2 804库存量
剪切带
¥256.2501
¥173.2064
¥173.2064
最低: 1
倍数: 1
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 95 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 162 nC - 55 C + 175 C 360 W Enhancement AEC-Q101

STMicroelectronics 碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 116 A, 18 mOhm (typ., TJ = 25 °C) in an 12,739库存量
剪切带
¥249.7978
¥225.8983
¥222.5874
¥186.6082
卷轴
¥171.8052
最低: 1
倍数: 1
: 1,000
SMD/SMT H2PAK-7 1 Channel 650 V 90 A 26 mOhms - 10 V, + 22 V 1.9 V 157 nC - 55 C + 175 C 330 W Enhancement