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SCTW35N65G2V 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式	资格
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package SCTW35N65G2V STMicroelectronics 受限供货情况停产	制造商零件编号 SCTW35N65G2V Mouser 零件编号 511-SCTW35N65G2V 停产	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247 package Mouser 目前在您所在地区不销售该产品。	数据表			受限供货情况			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2 SCTW35N65G2VAG STMicroelectronics 1: ¥91.7334 187库存量寿命结束	制造商零件编号 SCTW35N65G2VAG Mouser 零件编号 511-SCTW35N65G2VAG 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mOhm (typ., TJ = 2	数据表	187库存量	¥91.7334 ¥75.7665 ¥71.7098	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement	AEC-Q101

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