SCTW70N120G2V

STMicroelectronics
511-SCTW70N120G2V
SCTW70N120G2V

制造商：

说明：
碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 21 mOhm typ., 91 A in an HiP247 package
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寿命结束:
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数据表:
ECAD模型:
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产品属性 属性值 选择属性
STMicroelectronics
产品种类: 碳化硅MOSFET
RoHS:  
Through Hole
HiP-247-3
1 Channel
1.2 kV
91 A
21 mOhms
- 10 V, + 22 V
4.9 V
150 nC
- 55 C
+ 200 C
547 W
Enhancement
商标: STMicroelectronics
配置: Single
封装: Tube
产品类型: SiC MOSFETS
工厂包装数量: 600
子类别: Transistors
晶体管极性: N-Channel
单位重量: 4.500 g
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

库存量: 582

库存：
582 可立即发货
该产品已停产，库存售罄后将不再提供。
最少： 1   倍数： 1
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:

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数量 单价
总价
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¥200.6654 ¥2,006.65

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