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SCTWA35N65G2V 碳化硅MOSFET

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选择	图像	零件编号	制造商	描述	数据表	供货情况	单价（含13%增值税）根据您的数量，按照单价筛选表格中的结果。	数量	RoHS	ECAD模型	安装风格	封装 / 箱体	通道数量	Vds-漏源极击穿电压	Id-连续漏极电流	Rds On-漏源导通电阻	Vgs - 栅极-源极电压	Vgs th-栅源极阈值电压	Qg-栅极电荷	最小工作温度	最大工作温度	Pd-功率耗散	通道模式
	碳化硅MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm SCTWA35N65G2V STMicroelectronics 1: ¥118.3675 496库存量寿命结束	制造商零件编号 SCTWA35N65G2V Mouser 零件编号 511-SCTWA35N65G2V 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET 650 V 45 A 75 mOhm	数据表	496库存量	¥118.3675 ¥77.9135 ¥64.523	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-3	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms	- 10 V, + 22 V	5 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement
	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package SCTWA35N65G2V-4 STMicroelectronics 1: ¥142.8546 100库存量寿命结束	制造商零件编号 SCTWA35N65G2V-4 Mouser 零件编号 511-SCTWA35N65G2V-4 寿命结束	STMicroelectronics	碳化硅MOSFET Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 55 mOhm typ., 45 A in an HiP247-4 package	数据表	100库存量	¥142.8546 ¥108.7738 ¥90.6599 ¥80.8176 ¥76.4332	最低： 1 倍数： 1			Through Hole	HiP-247-4	1 Channel	650 V	45 A	67 mOhms		5 V	73 nC	- 55 C	+ 200 C	240 W	Enhancement

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