SI2309CD MOSFET

结果: 3
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 制造商
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数量 RoHS ECAD模型 技术
安装风格
封装 / 箱体
晶体管极性
通道数量
Vds-漏源极击穿电压
Id-连续漏极电流
Rds On-漏源导通电阻
Vgs - 栅极-源极电压
Vgs th-栅源极阈值电压
Qg-栅极电荷
最小工作温度
最大工作温度
Pd-功率耗散
通道模式
商标名
封装

Vishay / Siliconix MOSFET SOT23 P-CH 60V 1.2A
数据表
173,712库存量
剪切带
¥7.1981
¥3.277
¥2.8815
¥2.2035
卷轴
¥1.7063
查看
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
数据表
61,931库存量
18,000预期 2027/9/6
剪切带
¥7.1981
¥3.277
¥2.8815
¥2.2035
卷轴
¥1.7063
¥1.4916
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 2.7 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET -60V Vds 20V Vgs SOT-23
数据表
4,691库存量
39,000在途量
剪切带
¥7.1981
¥3.277
¥2.8815
¥2.2035
卷轴
¥1.808
MouseReel 提供服务支持
最低： 1
倍数： 1
最大： 3,000
: 3,000
Si SMD/SMT SOT-23-3 P-Channel 1 Channel 60 V 1.6 A 345 mOhms 20 V 3 V 4.1 nC - 55 C + 150 C 1.7 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel