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SI3993CDV-T1-GE3

Name: Vishay SI3993CDV-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI3993CDV-T1-GE3
Price: 6 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

78-SI3993CDV-T1-GE3

制造商编号：

SI3993CDV-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

数据表:

SI3993CDV-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	TSOP-6
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	2.2 A
Rds On-漏源导通电阻:	133 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	1 V
Qg-栅极电荷:	5 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	1.15 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
下降时间:	12 ns
正向跨导 - 最小值:	4 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	16 ns
系列:	SI3
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 P-Channel
典型关闭延迟时间:	17 ns
典型接通延迟时间:	10 ns
单位重量:	20 mg

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数据表

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Models

R-C Thermal Model Parameters

PCN

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 德国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 26,604

库存：: 26,604

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在途量:: 12,000

预期 2026/11/5
生产周期：: 10

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥6.78	¥6.78
	¥3.0736	¥30.74
	¥2.7007	¥270.07
	¥2.0566	¥1,028.30
	¥1.9888	¥1,988.80
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥1.5933	¥4,779.90

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI3993CDV-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET -30V Vds 20V Vgs TSOP-6

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