SI4162DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI4162DY-T1-GE3
SI4162DY-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 30V Vds 20V Vgs SO-8

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
REACH - SVHC:
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
30 V
19.3 A
7.9 mOhms
20 V
3 V
20 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
产品类型: MOSFETs
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
零件号别名: SI4162DY-GE3
单位重量: 187 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOSFET是TrenchFET®功率MOSFET，用于放大电子信号。 这些Si4 MOSFET有N沟道、P沟道以及N和P沟道可供选择。 Si4 MOSFET具有不同的VGS、 VDS和温度范围。 该Si4 MOSFET以增强模式工作，用于在电子信号之间进行切换。 这些MOSFET为表面贴装，100%经过Rg 和 UIS测试，采用卷带封装。
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TrenchFET® Gen III Power MOSFETs

Vishay Semiconductor TrenchFET® Gen III Power MOSFETs offer low on-resistance and on-resistance times gate charge in PowerPAK® SO-8, PowerPAK 1212-8, and SO-8 package types. The lower on-resistance and gate charge of TrenchFET Gen III Power MOSFETs translate into lower conduction and switching losses. Several devices in the TrenchFET family are also equipped with TurboFET™ technology. Vishay Semiconductor TrenchFET devices are used as the low-side MOSFET in synchronous buck converters and in secondary synchronous rectification and OR-ing applications.

库存量: 9,601

库存：
9,601
可立即发货
在途量:
2,500
预期 2028/3/9
生产周期：
38
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥11.8311 ¥11.83
¥5.537 ¥55.37
¥4.9268 ¥492.68
¥3.842 ¥1,921.00
¥3.7742 ¥3,774.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.1075 ¥7,768.75
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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