SI4178DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI4178DY-T1-GE3
SI4178DY-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET 30V Vds 25V Vgs SO-8

数据表:
ECAD模型:
下载免费库加载程序，将此文件转换，以供您的ECAD工具使用。了解详情。
更多信息
了解Vishay Semiconductors SI4178DY-T1-GE3详情

产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel
1 Channel
30 V
12 A
21 mOhms
20 V
1.4 V
7.5 nC
- 55 C
+ 150 C
5 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Single
下降时间: 10 ns
正向跨导 - 最小值: 22 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel
典型关闭延迟时间: 12 ns
典型接通延迟时间: 7 ns
零件号别名: SI4178DY-GE3
单位重量: 187 mg
找到的产品:
要显示类似产品，至少选中一个复选框
要显示该类别下的类似产品，请至少选中上方的一个复选框。
已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541210000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541210101
KRHTS:
8541219000
MXHTS:
85412101
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOSFET是TrenchFET®功率MOSFET，用于放大电子信号。 这些Si4 MOSFET有N沟道、P沟道以及N和P沟道可供选择。 Si4 MOSFET具有不同的VGS、 VDS和温度范围。 该Si4 MOSFET以增强模式工作，用于在电子信号之间进行切换。 这些MOSFET为表面贴装，100%经过Rg 和 UIS测试，采用卷带封装。
了解详情

库存量: 11,568

库存：
11,568 可立即发货
生产周期：
38 周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥8.9383 ¥8.94
¥4.1019 ¥41.02
¥3.5369 ¥353.69
¥2.8024 ¥1,401.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥2.2374 ¥5,593.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

出现意外错误。


有问题需要帮助？请访问帮助中心。
如对特定订单有疑问，请登录您的账户。

如遇其他问题，请致电 800-346-6873 或发送邮件至 help@mouser.com 联系我们。