SI4490DY MOSFET

结果: 3
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Vishay Semiconductors MOSFET RECOMMENDED ALT SI44
11,808预期 2028/3/17
剪切带
¥31.0976
¥17.5376
¥14.2267
¥11.5825
卷轴
¥10.0909
最低: 1
倍数: 1
最大: 2,500
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 4 A 80 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET 200V Vds 20V Vgs SO-8
5,000预期 2028/2/25
剪切带
¥29.6964
¥16.6223
¥15.0516
¥12.3283
卷轴
¥9.8423
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 200 V 4 A 80 mOhms 20 V 2 V 42 nC - 55 C + 150 C 3.1 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay / Siliconix MOSFET RECOMMENDED ALT SI44
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否
Si TrenchFET