SI4599DY-T1-GE3

Vishay Semiconductors
781-SI4599DY-T1-GE3
SI4599DY-T1-GE3

制造商：

说明：
MOSFET -40V Vds 20V Vgs SO-8 N&P PAIR

数据表:
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产品属性 属性值 选择属性
Vishay
产品种类: MOSFET
RoHS:  
Si
SMD/SMT
SOIC-8
N-Channel, P-Channel
2 Channel
40 V
5.8 A, 6.8 A
35.5 mOhms, 45 mOhms
20 V
1.2 V, 1.4 V
11.7 nC, 25 nC
- 55 C
+ 150 C
3 W, 3.1 W
Enhancement
TrenchFET
Reel
Cut Tape
MouseReel
商标: Vishay Semiconductors
配置: Dual
下降时间: 9 ns, 9 ns
正向跨导 - 最小值: 14 S, 22 S
产品类型: MOSFETs
上升时间: 10 ns, 12 ns
系列: SI4
工厂包装数量: 2500
子类别: Transistors
晶体管类型: 1 N-Channel, 1 P-Channel
典型关闭延迟时间: 15 ns, 30 ns
典型接通延迟时间: 7 ns, 7 ns
零件号别名: SI4599DY-GE3
单位重量: 187 mg
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已选择的属性: 0

合规代码
CNHTS:
8541290000
TARIC:
8541290000
CAHTS:
8541290000
USHTS:
8541290065
JPHTS:
8541290100
KRHTS:
8541299000
MXHTS:
85412999
ECCN:
EAR99
原产地分类
原产国:
中国
组装原产国/地区:
不可用
扩散国家:
不可用
发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si4 MOSFET

Vishay/Siliconix Si4 MOSFET是TrenchFET®功率MOSFET，用于放大电子信号。 这些Si4 MOSFET有N沟道、P沟道以及N和P沟道可供选择。 Si4 MOSFET具有不同的VGS、 VDS和温度范围。 该Si4 MOSFET以增强模式工作，用于在电子信号之间进行切换。 这些MOSFET为表面贴装，100%经过Rg 和 UIS测试，采用卷带封装。
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集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET®技术，具有低热阻。

N沟道和P沟道对散热增强型MOSFET

Vishay N通道和P通道对散热增强型MOSFET将N通道和P通道MOSFET对集成到单一封装中。这些N通道和P通道MOSFET设计用于最大限度地降低导通电阻 (RDS(on))，同时保持出色的开关性能。另外，通过将N沟道和P沟道MOSFET集成到单一IC中，还可以节省PCB空间并简化应用设计。

库存量: 44

库存：
44
可立即发货
在途量:
10,000
预期 2028/3/9
5,000
预期 2028/3/31
生产周期：
38
周 大于所示数量的预计工厂生产时间。
最少： 1   倍数： 1   最多： 2500
单价:
¥-.--
总价:
¥-.--
预估关税:
封装:
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

定价 (含13% 增值税)

数量 单价
总价
剪切带/MouseReel™ †
¥13.2323 ¥13.23
¥8.1699 ¥81.70
¥4.7686 ¥476.86
¥3.7177 ¥1,858.85
¥3.6612 ¥3,661.20
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
¥3.0058 ¥7,514.50
† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

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