SI4686DY MOSFET

结果: 2
选择 图像 零件编号 制造商 描述 数据表 供货情况 单价(含13%增值税) 根据您的数量,按照单价筛选表格中的结果。 数量 RoHS ECAD模型 技术 安装风格 封装 / 箱体 晶体管极性 通道数量 Vds-漏源极击穿电压 Id-连续漏极电流 Rds On-漏源导通电阻 Vgs - 栅极-源极电压 Vgs th-栅源极阈值电压 Qg-栅极电荷 最小工作温度 最大工作温度 Pd-功率耗散 通道模式 商标名 封装

Vishay Semiconductors MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V 4,338库存量
剪切带
¥18.6111
¥9.0174
¥8.0682
¥6.4184
卷轴
¥6.3732
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.2 A 9.5 mOhms 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 5.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel

Vishay Semiconductors MOSFET 30V 18.2A 5.2W 9.5mohm @ 10V 无库存交货期 38 周
剪切带
¥19.3569
¥12.2379
¥8.2603
¥6.6896
卷轴
¥5.6048
最低: 1
倍数: 1
: 2,500
Si SMD/SMT SOIC-8 N-Channel 1 Channel 30 V 18.2 A 9.5 mOhms 20 V 1 V 26 nC - 55 C + 150 C 5.2 W Enhancement TrenchFET Reel, Cut Tape, MouseReel