SI4925BDY-T1-GE3

Name: Vishay SI4925BDY-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI4925BDY-GE3
Price: 18.08 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SI4925BDY-GE3

制造商编号：

SI4925BDY-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V

寿命周期:

寿命结束:

将过时且制造商将停产。

数据表:

SI4925BDY-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	SOIC-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	7.1 A
Rds On-漏源导通电阻:	25 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	3 V
Qg-栅极电荷:	50 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	2 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
产品类型:	MOSFETs
系列:	SI4
工厂包装数量:	2500
子类别:	Transistors
零件号别名:	SI4925BDY-GE3
单位重量:	750 mg

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REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
TARIC:: 8541290000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si4 MOSFET

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¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按2500的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥20.4304	¥20.43
	¥12.9837	¥129.84
	¥8.7688	¥876.88
	¥7.0851	¥3,542.55
整卷卷轴（请按2500的倍数订购）
	¥6.0568	¥15,142.00
	¥5.7404	¥28,702.00
	¥5.7178	¥57,178.00

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI4925BDY-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 30V 7.1A 2.0W 25mohm @ 10V

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