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SI7114ADN-T1-GE3

Name: Vishay SI7114ADN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7114ADN-T1-GE3
Price: 10.47 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SI7114ADN-T1-GE3

制造商编号：

SI7114ADN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:

SI7114ADN-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	35 A
Rds On-漏源导通电阻:	7.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	20 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	21 nC
最小工作温度:	- 50 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	39 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	10 ns
正向跨导 - 最小值:	50 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	14 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 N-Channel
典型关闭延迟时间:	20 ns
典型接通延迟时间:	20 ns
零件号别名:	SI7114ADN-GE3
单位重量:	1 g

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数据表

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Product Change Notification (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
MXHTS:: 85423999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

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库存量: 10,312

库存：: 10,312 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥11.8311	¥11.83
	¥5.537	¥55.37
	¥4.9268	¥492.68
	¥3.842	¥1,921.00
	¥3.7742	¥3,774.20
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥3.0397	¥9,119.10

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7114ADN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 30V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8

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