SI7153DN-T1-GE3

Name: Vishay SI7153DN-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 78-SI7153DN-T1-GE3
Price: 7.91 RMB
Availability: InStock

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Mouser编号：

78-SI7153DN-T1-GE3

制造商编号：

SI7153DN-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET -30V Vds 25V Vgs PowerPAK 1212-8

数据表:

SI7153DN-T1-GE3 数据表

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产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-1212-8
晶体管极性:	P-Channel
通道数量:	1 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	30 V
Id-连续漏极电流:	18 A
Rds On-漏源导通电阻:	9.5 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	25 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	2.5 V
Qg-栅极电荷:	62 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	52 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Single
下降时间:	15 ns
正向跨导 - 最小值:	44 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	46 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	1 P-Channel
典型关闭延迟时间:	36 ns
典型接通延迟时间:	50 ns
单位重量:	1 g

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数据表

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Models

PCN

Additional Commercial Power MOSFET Wafer Fabrication Capacity (PDF)

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 8541290100
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 85412999
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

Si71 MOSFET

Vishay Si71 MOSFET采用TrenchFET® 第三代功率MOSFET技术和低热阻PowerPAK® 1212-8和PowerPak SO-8封装。MOSFET 100%经过Rg和UIS测试，确保可靠性和性能。 N通道和P通道MOSFET符合IEC 61249-2-21规定，不含卤素。这些紧凑型MOSFET非常适合用于空间和热管理至关重要的应用。

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库存量: 8,523

库存：: 8,523 可立即发货

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生产周期：: 38 周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 6000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥8.9383	¥8.94
	¥4.1245	¥41.25
	¥3.6499	¥364.99
	¥2.8137	¥1,406.85
	¥2.712	¥2,712.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥2.1922	¥6,576.60
	¥2.0792	¥12,475.20

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7153DN-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

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