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SI7234DP-T1-GE3

Name: Vishay SI7234DP-T1-GE3
Brand: Vishay Semiconductors
SKU: 781-SI7234DP-T1-GE3
Price: 31.33 RMB
Availability: InStock

图像仅供参考
请参阅产品规格

Mouser编号：

781-SI7234DP-T1-GE3

制造商编号：

SI7234DP-T1-GE3

制造商：

Vishay Semiconductors

说明：

MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

数据表:

SI7234DP-T1-GE3 数据表

ECAD模型:

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.hidden-for-nojs { display: none; } .pull-right-nojs { justify-content: flex-end; }

产品属性	属性值	选择属性
制造商:	Vishay
产品种类:	MOSFET
RoHS:
REACH - SVHC:
技术:	Si
安装风格:	SMD/SMT
封装 / 箱体:	PowerPAK-SO-8
晶体管极性:	N-Channel
通道数量:	2 Channel
Vds-漏源极击穿电压:	12 V
Id-连续漏极电流:	60 A
Rds On-漏源导通电阻:	3.4 mOhms
Vgs - 栅极-源极电压:	12 V
Vgs th-栅源极阈值电压:	600 mV
Qg-栅极电荷:	37 nC
最小工作温度:	- 55 C
最大工作温度:	+ 150 C
Pd-功率耗散:	46 W
通道模式:	Enhancement
商标名:	TrenchFET
封装:	Reel
封装:	Cut Tape
封装:	MouseReel
商标:	Vishay Semiconductors
配置:	Dual
下降时间:	25 ns
正向跨导 - 最小值:	100 S
产品类型:	MOSFETs
上升时间:	15 ns
系列:	SI7
工厂包装数量:	3000
子类别:	Transistors
晶体管类型:	2 N-Channel
典型关闭延迟时间:	90 ns
典型接通延迟时间:	30 ns
零件号别名:	SI7234DP-GE3
单位重量:	506.600 mg

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已选择的属性: 0

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数据表

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Models

Technical Resources

REACH Certificate (PDF)

合规代码

CNHTS:: 8541290000
TARIC:: 8541290000
CAHTS:: 8541290000
USHTS:: 8541290065
JPHTS:: 854129000
KRHTS:: 8541299000
MXHTS:: 8541299900
ECCN:: EAR99

原产地分类

原产国:: 中国
组装原产国/地区:: 不可用
扩散国家:: 不可用

发货时，国家/地区可能会发生变化。

集成MOSFET解决方案

Vishay集成MOSFET解决方案将各种元件集成到单一芯片中，可提高功率密度、提高效率、简化设计并降低物料清单 (BOM) 成本。这些单芯片和多芯片MOSFET集成了肖特基势垒二极管和ESD保护等特性。这些MOSFET采用低导通电阻N沟道和P沟道TrenchFET^®技术，具有低热阻。

Si72 MOSFET

Vishay Si72 MOSFET采用TrenchFET®功率MOSFET技术，以增强性能。 Vishay Si72 MOSFET采用热增强型PowerPAK®封装。这些设备确保高效散热，并经过PWM优化，可为各种应用提供精确控制。通过100% Rg和UIS测试，该器件的可靠性得到全面验证。

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具备先进技术，可优化效率并尽可能降低导通过程中的功率损耗。

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库存量: 3,973

库存：: 3,973

可立即发货

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在途量:: 3,000

预期 2026/10/21

6,000

预期 2027/5/13
生产周期：: 19

周大于所示数量的预计工厂生产时间。

输入数量：

最少： 1 倍数： 1 最多： 3000

单价:

¥-.--

总价:

¥-.--

预估关税:

封装:

整卷卷轴（请按3000的倍数订购）

剪切带

MouseReel™ (+¥15.00)

定价 (含13% 增值税)

数量	单价	总价
剪切带/MouseReel™ ^†
	¥35.4029	¥35.40
	¥18.7806	¥187.81
	¥17.0404	¥1,704.04
	¥14.2267	¥7,113.35
	¥13.56	¥13,560.00
整卷卷轴（请按3000的倍数订购）
	¥12.7351	¥38,205.30

† ¥15.00 MouseReel™费将被加上并在购物车计算。所有MouseReel™订单均不可撤消和退回。 ↩

SI7234DP-T1-GE3

制造商： Vishay Semiconductors

说明： MOSFET 12V Vds 12V Vgs PowerPAK SO-8

规格

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